瀾起科技4月10日(ri)盤后公告，預計2024年第一季(ji)度實現營業收入7.37億(yi)(yi)元(yuan)，較(jiao)上(shang)年同期增(zeng)長75.74%；預計一季(ji)度凈(jing)利潤(run)2.10億(yi)(yi)元(yuan)~2.40億(yi)(yi)元(yuan)，較(jiao)上(shang)年同期增(zeng)長9.65倍(bei)(bei)~11.17倍(bei)(bei)；扣非凈(jing)利潤(run)2.10億(yi)(yi)元(yuan)-2.35億(yi)(yi)元(yuan)，較(jiao)上(shang)年同期增(zeng)長708.62倍(bei)(bei)-793.10倍(bei)(bei)。
南財快訊記者(zhe)注意到，2023年(nian)(nian)第四季度，瀾起(qi)科技(ji)(ji)營業(ye)收入為(wei)7.61億元(yuan)，歸屬(shu)于母公司所有者(zhe)的凈利潤為(wei)2.17億元(yuan)。據此(ci)(ci)計算，2024年(nian)(nian)第一(yi)季度凈利預計環比(bi)變動為(wei)-3%至10.6%。此(ci)(ci)外，瀾起(qi)科技(ji)(ji)近期在投資者(zhe)互動平臺稱(cheng)，今(jin)年(nian)(nian)以(yi)來，行(xing)業(ye)開(kai)始復(fu)蘇，DDR5在下游(you)持續滲透(tou)，整體(ti)態勢向好。
對于業績預增(zeng)原因，瀾起科技分析稱，互連類芯(xin)片(pian)產(chan)(chan)品(pin)線(xian)銷(xiao)售收(shou)入(ru)約為6.95億元，創該產(chan)(chan)品(pin)線(xian)第一季(ji)度銷(xiao)售收(shou)入(ru)歷史(shi)新高；自今年年初以來，內存(cun)接口芯(xin)片(pian)需(xu)求實現恢復性(xing)增(zeng)長，公司(si)部分新產(chan)(chan)品(pin)（如PCIeRetimer、MRCD/MDB芯(xin)片(pian)）開始(shi)規模出貨，推動(dong)公司(si)2024年第一季(ji)度收(shou)入(ru)及凈利潤(run)較上年同期大幅增(zeng)長。
瀾起科(ke)技強調部分新產(chan)品受益于(yu)AI需求(qiu)，實現快(kuai)速增長(chang)，如2024年(nian)第一季(ji)(ji)度，PCIeRetimer芯片(pian)單(dan)季(ji)(ji)度出貨量約為15萬顆，超過(guo)該產(chan)品2023年(nian)全年(nian)出貨量的1.5倍。MRCD/MDB芯片(pian)單(dan)季(ji)(ji)度銷售額首次超過(guo)人民幣2000萬元。
值得注意的(de)是，4月9日晚間瀾起科技發布了2023年(nian)年(nian)報。2023年(nian)公司營(ying)業(ye)收(shou)入為(wei)22.86億元(yuan)(yuan)，同(tong)比下降37.76%；歸屬于母公司所有者的(de)凈(jing)利潤為(wei)4.51億元(yuan)(yuan)，同(tong)比下降65.3%。
瀾起科技在年報針對業績下滑解(jie)釋稱，受(shou)全球(qiu)服務器及計算機(ji)行業需求下滑導致的(de)客戶(hu)去庫存影響(xiang)，公司DDR4內(nei)存接口(kou)芯片與津(jin)逮(dai)?CPU出貨(huo)量較(jiao)上年同期明顯(xian)減少。
方正(zheng)證券研究4月8日稱，現貨價(jia)(jia)格來(lai)(lai)看，NandFlashWafer價(jia)(jia)格持(chi)續上揚。DRAM價(jia)(jia)格同樣全線上漲(zhang)，預計隨著AI等領(ling)域對高性能(neng)計算的需求，DDR5產(chan)品(pin)有(you)望迎來(lai)(lai)量(liang)價(jia)(jia)齊升。合約價(jia)(jia)來(lai)(lai)看，TrendForce預計24Q2NANDFlash合約價(jia)(jia)格將大幅上漲(zhang)13%～18%，其中(zhong)企業級SSD漲(zhang)幅最(zui)高，達(da)20%~25%。
從供(gong)給端(duan)來看，原廠處于(yu)(yu)產能(neng)(neng)切換(huan)的(de)關鍵期，DRAM產能(neng)(neng)從DDR4向DDR5切換(huan)，將造成產能(neng)(neng)自(zi)然消(xiao)耗(hao)30%，而HBM晶(jing)圓產能(neng)(neng)消(xiao)耗(hao)是DDR5的(de)3倍，將進(jin)一步(bu)加劇存(cun)儲(chu)產能(neng)(neng)緊缺。原廠謹(jin)慎規(gui)劃資本開支，2024年新增資本開支主要用(yong)于(yu)(yu)高端(duan)產品產能(neng)(neng)擴張(zhang)。產能(neng)(neng)緊缺伴隨需(xu)求(qiu)持(chi)續增長(chang)，將推動存(cun)儲(chu)價格持(chi)續上行。
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