21世紀經濟報道記者倪雨晴 深圳報道

美國(guo)又揮(hui)舞起大棒。當地時間12月2日，美國(guo)商務(wu)部工業和安全局(ju)（BIS）發布了出口管制(zhi)的“強化(hua)版”新(xin)規(gui)，進(jin)一步限制(zhi)中(zhong)國(guo)人工智能和先(xian)進(jin)半導體的發展。

這次(ci)新規主(zhu)要有(you)兩(liang)份文件，第一份是(shi)152頁的臨時最終規則（IFR，Interim final rule），BIS對出口管理(li)條例（EAR）的某些管控(kong)進(jin)行了調(diao)整，涉及先進(jin)計(ji)算物、超級計(ji)算機以及半(ban)導體制(zhi)造設備。

第二份(fen)是58頁(ye)的最終規則（Final rule），名為《實體清單的新(xin)(xin)增與修(xiu)改(gai)及從驗證終端(duan)用(yong)戶（VEU）計劃中移除》。該(gai)規則通過新(xin)(xin)增和(he)修(xiu)改(gai)實體清單，對某些關鍵技術進行管控。兩份(fen)新(xin)(xin)規都在2024年12月2日(ri)當(dang)天生效。

過去幾年(nian)中(zhong)，BIS往往在10月發布制(zhi)裁措(cuo)施，今年(nian)新政時(shi)間有所延遲(chi)。此前，多位半導體(ti)業(ye)內人(ren)士就向21世(shi)紀(ji)經濟報(bao)道記者指出，不(bu)論是(shi)拜登政府還是(shi)特朗普(pu)政府，針對(dui)中(zhong)國半導體(ti)的新出口管制(zhi)政策遲(chi)早會(hui)出臺，芯(xin)片制(zhi)造(zao)環節和(he)AI高(gao)性能(neng)芯(xin)片（先(xian)(xian)進制(zhi)程）仍是(shi)關(guan)注(zhu)重點，包括半導體(ti)設備、HBM存儲、先(xian)(xian)進封裝(zhuang)技(ji)術(shu)等(deng)等(deng)。

根據當(dang)天BIS的(de)公告，新(xin)(xin)(xin)的(de)規則主要包括5個方向(xiang)：對(dui)24種(zhong)半(ban)導(dao)體(ti)制造(zao)設備和3種(zhong)用于開發或(huo)生產半(ban)導(dao)體(ti)的(de)軟件工具實(shi)施新(xin)(xin)(xin)的(de)管(guan)制；對(dui)高帶寬存儲器（HBM）實(shi)施新(xin)(xin)(xin)的(de)管(guan)制；針對(dui)合規和轉(zhuan)移問題(ti)的(de)新(xin)(xin)(xin)的(de)“紅旗警告”（Red flag guidance，相當(dang)于強化預(yu)警，防止(zhi)規避(bi)出(chu)口政策）；在“實(shi)體(ti)清(qing)單”中(zhong)新(xin)(xin)(xin)增加140個名(ming)單并(bing)進行14項修(xiu)改，涵(han)蓋中(zhong)國(guo)設備制造(zao)商、半(ban)導(dao)體(ti)晶圓廠和投(tou)資公司；以及幾項關鍵的(de)監(jian)管(guan)變化，以增強先前管(guan)制的(de)有(you)效性。

這(zhe)份聲明(ming)不加掩飾(shi)地指出，其宣布的所(suo)有政(zheng)策變化(hua)(hua)都是為(wei)了(le)限制中(zhong)(zhong)國自主(zhu)生產先進(jin)技術(shu)的能力，延緩中(zhong)(zhong)國開發人工(gong)智(zhi)能的能力、削弱中(zhong)(zhong)國本(ben)地化(hua)(hua)先進(jin)半導體生態系統。芯片霸權之心昭(zhao)然若揭。

美國商務部(bu)的目標和野心很明確，深入到(dao)關(guan)鍵(jian)的半導體設備制造環節，以及當前AI芯片(pian)市場的關(guan)鍵(jian)產能(neng)瓶(ping)頸——存儲芯片(pian)HBM，同(tong)時(shi)對(dui)EDA等軟件(jian)工具圍追(zhui)截堵(du)，繼續全產業鏈“封鎖”。

七項核心細則：多維度控制AI和半導體的設計生產

延續2022年、2023年的(de)新(xin)規策(ce)略(lve)，2024年美(mei)國BIS將制裁(cai)的(de)深度和范圍進一步擴大。按(an)照公告的(de)說法，最(zui)新(xin)的(de)這(zhe)一系列措(cuo)施，是目前為(wei)止最(zui)嚴格(ge)的(de)戰略(lve)性出(chu)口管控，并(bing)列舉了關鍵的(de)7項管制新(xin)規。

其一是對生產先進節點集成電路所需(xu)的半導(dao)體制造設(she)備實施新管控。包括對某些蝕刻(ke)、沉積、光刻(ke)、離子(zi)注入、退火(huo)、計量與檢(jian)測以及清洗(xi)設(she)備的新增限制。

其二是對開(kai)發或(huo)生產先進節點(dian)集成電路的軟(ruan)件工具實施(shi)新管控。包括某些(xie)提高先進設備生產效率(lv)的軟(ruan)件，或(huo)使較(jiao)低端設備能夠生產先進芯片(pian)的軟(ruan)件。

以上兩(liang)項是針(zhen)對半(ban)導體制造設(she)(she)(she)(she)備(bei)公司和軟(ruan)件公司進(jin)行的(de)限制，兩(liang)者都是芯(xin)片生產過程(cheng)中的(de)核(he)心工具，有各(ge)類(lei)設(she)(she)(she)(she)備(bei)才能(neng)建設(she)(she)(she)(she)產線生產芯(xin)片，有EDA等軟(ruan)件才能(neng)設(she)(she)(she)(she)計芯(xin)片。去年的(de)新規也提及了設(she)(she)(she)(she)備(bei)商，但此番直(zhi)接擴大了覆(fu)蓋面，后續140家清單企業中大部(bu)分是設(she)(she)(she)(she)備(bei)和軟(ruan)件相關廠(chang)商。

其(qi)三(san)是對高(gao)帶(dai)寬存儲器(qi)（HBM）實施新管控(kong)。HBM 是大規模(mo)人工智能(neng)訓練和推(tui)理(li)(li)的(de)(de)重要組成部(bu)分，也是高(gao)性能(neng)集(ji)成電路的(de)(de)關鍵部(bu)件。新的(de)(de)管控(kong)適用于(yu)美國(guo)原產(chan)的(de)(de) HBM，以及(ji)根據先進(jin)計算(suan)外(wai)(wai)國(guo)直接產(chan)品規則（FDP，Foreign Direct Product），受出口管理(li)(li)條(tiao)例（EAR）約(yue)束的(de)(de)外(wai)(wai)國(guo)生產(chan)的(de)(de) HBM。某些 HBM 可(ke)根據新的(de)(de)“HBM 許可(ke)證(zheng)例外(wai)(wai)”獲得授權。

目前HBM核心生(sheng)產(chan)商(shang)有韓國(guo)(guo)的(de)(de)SK海(hai)力(li)士(shi)、三星和美(mei)國(guo)(guo)的(de)(de)美(mei)光，由(you)于國(guo)(guo)內對(dui)于HBM的(de)(de)管制有所(suo)預期(qi)，也有產(chan)業鏈人士(shi)指出，此前國(guo)(guo)內相關企業已(yi)經在提前采購囤(dun)積HBM。

其(qi)四是(shi)新增140家企業進(jin)入“實(shi)體清單(dan)”，并修改14項內容。包括涉(she)及推進(jin)中國先進(jin)芯片項目的半導體晶圓廠、設備零部件公(gong)司和投資公(gong)司。

記(ji)者查(cha)詢140家(jia)公(gong)司名(ming)單觀察到(dao)，這(zhe)些(xie)公(gong)司主要位于(yu)中國(guo)，同時也有位于(yu)日本、韓國(guo)和(he)新加(jia)坡的(de)(de)企業，基本覆蓋了國(guo)內知名(ming)的(de)(de)設(she)備廠商，包括北方華創、盛美半導(dao)體等。

其五(wu)是建立兩項新的(de)外國(guo)(guo)直接產(chan)品(pin)規(gui)則（FDP）和相應的(de)最低含量(liang)（de minimis）規(gui)定。包(bao)括半(ban)導體制造設(she)(she)備(SME)FDP，和Footnote 5 (FN5) FDP，主(zhu)要是對(dui)美國(guo)(guo)之外的(de)海外地區生產(chan)的(de)設(she)(she)備和產(chan)品(pin)，做出更多長臂管(guan)轄的(de)限制。

比(bi)如(ru)，如(ru)果海外生產(chan)的(de)設備商品最終銷(xiao)售(shou)的(de)目的(de)地包括中(zhong)(zhong)國(guo)澳門在(zai)內的(de)中(zhong)(zhong)國(guo)區域，就要(yao)受(shou)到(dao)管(guan)制；又(you)比(bi)如(ru)，如(ru)果參與支(zhi)持“FN5清單”中(zhong)(zhong)的(de)公司生產(chan)先進節點半導(dao)體產(chan)品，也要(yao)受(shou)管(guan)制；最低含量規定，則是對上述(shu)FDP規則描述(shu)的(de)外國(guo)產(chan)品中(zhong)(zhong)，包含美國(guo)原產(chan)集成電路的(de)比(bi)例進行約束(shu)。

其(qi)六是新增(zeng)軟件(jian)和技術管控，限(xian)制(zhi)電子(zi)計算機(ji)輔助設(she)計（ECAD）和技術計算機(ji)輔助設(she)計（TCAD）軟件(jian)和技術的(de)使用(yong)。如(ru)果這些軟件(jian)被(bei)用(yong)于中國(guo)澳門和其(qi)他中國(guo)區域的(de)先進節點(dian)集(ji)成電路時，將受到管控。

其(qi)七(qi)是加強軟件(jian)(jian)密鑰的(de)管控，用(yong)于特定硬件(jian)(jian)或軟件(jian)(jian)的(de)訪問許可的(de)出口、再出口或（國內）轉(zhuan)讓，或用(yong)于現有軟件(jian)(jian)和硬件(jian)(jian)使用(yong)許可更(geng)新(xin)的(de)軟件(jian)(jian)密鑰，都將(jiang)受到管制。

收緊設備管控：北方華創、盛美半導體等140家企業被列入清單

具體來看，“實體清單(dan)”中(zhong)新增(zeng)的(de)140家公(gong)司(si)(si)，大多數集中(zhong)在半導體設備公(gong)司(si)(si)，也有軟件公(gong)司(si)(si)，此舉旨(zhi)在限制(zhi)中(zhong)國先進(jin)半導體技術及相關制(zhi)造(zao)能力的(de)獲取。

公(gong)司層面，包括北(bei)方華(hua)創(chuang)、盛(sheng)美半導體設備（上海）、拓(tuo)荊(jing)科(ke)(ke)技、中科(ke)(ke)飛測、華(hua)峰(feng)測控、北(bei)京屹唐半導體、華(hua)大九天(tian)、晶源(yuan)微(wei)電子、中科(ke)(ke)院微(wei)電子研究(jiu)所、國微(wei)集團、華(hua)清科(ke)(ke)技、至(zhi)純科(ke)(ke)技、深(shen)圳新凱萊、青島芯恩、深(shen)圳鵬新旭、聞(wen)泰(tai)科(ke)(ke)技、張江實驗(yan)室、精測半導體、南大光電、凱世通等(deng)等(deng)。

投(tou)資公(gong)司方面有建廣資本(ben)、智(zhi)路資本(ben)等，這(zhe)兩家可謂(wei)半(ban)導體領(ling)域內的(de)投(tou)資明星機構(gou)，參與過諸多重(zhong)要的(de)并(bing)購重(zhong)組，包括(kuo)紫光集(ji)團重(zhong)整(zheng)、聞泰科(ke)技(ji)收購安世半(ban)導體等。

可以看到(dao)，國(guo)內大多數核心的設備(bei)企業都被列入實體清單中，同(tong)時，新規(gui)(gui)還做(zuo)出了一些修改(gai)，包括對(dui)于七家(jia)公(gong)司(si)新增(zeng)了“FN5”（Footnote 5）標記(ji)。這(zhe)也意味著他們會受到(dao)更多管制(zhi)，因為如前所述(shu)新出了一份針對(dui)“FN5”的FDP（外(wai)(wai)國(guo)直(zhi)接產品規(gui)(gui)則），限制(zhi)這(zhe)些公(gong)司(si)獲得外(wai)(wai)國(guo)設備(bei)。

這七家中(zhong)(zhong)(zhong)(zhong)國公(gong)司(si)分別是(shi)福(fu)建晉華、PXW（鵬芯微）集成(cheng)電(dian)路(lu)制(zhi)造(zao)有(you)限(xian)公(gong)司(si)、中(zhong)(zhong)(zhong)(zhong)芯國際集成(cheng)電(dian)路(lu)制(zhi)造(zao)（北(bei)京）有(you)限(xian)公(gong)司(si)、中(zhong)(zhong)(zhong)(zhong)芯國際集成(cheng)電(dian)路(lu)制(zhi)造(zao)有(you)限(xian)公(gong)司(si)（SMIC）、中(zhong)(zhong)(zhong)(zhong)芯南方集成(cheng)電(dian)路(lu)制(zhi)造(zao)有(you)限(xian)公(gong)司(si)、上海集成(cheng)電(dian)路(lu)研(yan)發中(zhong)(zhong)(zhong)(zhong)心、中(zhong)(zhong)(zhong)(zhong)芯北(bei)方集成(cheng)電(dian)路(lu)制(zhi)造(zao)（北(bei)京）有(you)限(xian)公(gong)司(si)。

由于這(zhe)些晶圓廠被認為與中(zhong)國本土的(de)(de)(de)先(xian)進(jin)節點技術相(xiang)關(guan)，所以美國出口管理委員(yuan)會（ERC）指出，這(zhe)些修改是為了限(xian)(xian)制這(zhe)些實(shi)體(ti)獲取可(ke)能用(yong)于生(sheng)產先(xian)進(jin)節點集成電(dian)路的(de)(de)(de)外國生(sheng)產商品。并且，對于中(zhong)芯國際的(de)(de)(de)審查將更加嚴(yan)厲，目的(de)(de)(de)都是指向限(xian)(xian)制芯片先(xian)進(jin)制程的(de)(de)(de)研發(fa)。

此外，美國還將從VEU計劃中(zhong)移除部分(fen)中(zhong)國實體，這(zhe)些公司(si)包括華(hua)潤微、華(hua)虹宏力、中(zhong)微公司(si)。

VEU計劃(hua)（Validated End-User Program，驗證終端用(yong)戶計劃(hua)）是美國(guo)出(chu)(chu)(chu)口(kou)管理條例（EAR）中(zhong)的(de)一(yi)項特(te)殊授權制(zhi)度(du)(du)，旨在(zai)簡化對某些經(jing)過驗證的(de)實體出(chu)(chu)(chu)口(kou)、再出(chu)(chu)(chu)口(kou)和國(guo)內(nei)轉讓特(te)定物項的(de)流程。被(bei)移(yi)出(chu)(chu)(chu)VEU計劃(hua)，則意味(wei)著需要申(shen)請許(xu)可證，并受(shou)到更嚴格的(de)監(jian)管。部分中(zhong)國(guo)實體被(bei)移(yi)出(chu)(chu)(chu)VEU計劃(hua)，表明美國(guo)正在(zai)加強對敏(min)感技術的(de)出(chu)(chu)(chu)口(kou)控制(zhi)力度(du)(du)。

整體而(er)言，這些規定，不僅對(dui)國(guo)內(nei)設(she)備廠商、晶(jing)圓廠商的(de)發展進行了(le)限制，也對(dui)海外設(she)備廠商的(de)業(ye)務造(zao)成影(ying)響，都要受到美國(guo)政策的(de)長臂(bei)管(guan)轄。雖然成熟(shu)制程的(de)供應(ying)目前不受影(ying)響，但是先進制程研(yan)發阻力加大，當然近年來國(guo)內(nei)也在(zai)半(ban)導(dao)體設(she)備和(he)零部件環節持續推進突圍。

劍指AI競賽：HBM存儲成關鍵節點

目前，AI芯(xin)片(pian)產(chan)業鏈(lian)上兩大瓶(ping)頸是HBM（高帶寬內存）和CoWoS先進封裝技術，HBM存儲芯(xin)片(pian)供應商主要是三星、海力士以(yi)及(ji)美光，CoWoS技術臺積電一枝獨秀。

根據(ju)集(ji)邦咨詢的(de)數(shu)據(ju)，受惠于AI應用的(de)快速增(zeng)長以及相關存儲需求的(de)激增(zeng)，HBM市(shi)場預(yu)計(ji)將在2025年達到(dao)(dao)250億(yi)美元，同比增(zeng)幅達到(dao)(dao)6倍。HBM作(zuo)為AI服務器的(de)重要(yao)存儲組件，其(qi)(qi)獨特的(de)高帶寬和低功耗特性，使其(qi)(qi)在處理(li)復雜計(ji)算(suan)任務時表現尤為出色，因而成(cheng)為存儲器制造商爭相布局的(de)核心領(ling)域。

臺積電一直受到美(mei)國(guo)政(zheng)策限(xian)(xian)制，眼下更是進一步收緊，近幾(ji)個月來，業內有消息(xi)稱美(mei)國(guo)即將出(chu)臺法案限(xian)(xian)制中國(guo)廠商獲得(de)HBM，如今新規盡出(chu)。

在具體的(de)(de)規(gui)定(ding)上，HBM被納入到出口管(guan)制(zhi)分類編號（ECCN）3A090.c中，作(zuo)為(wei)先進計算(suan)和人工(gong)智能(neng)（AI）應用的(de)(de)重(zhong)要存(cun)儲(chu)器組(zu)件(jian)，受到特別管(guan)控。不(bu)光是美(mei)國(guo)生(sheng)產(chan)的(de)(de)HBM在管(guan)制(zhi)范圍，包含美(mei)國(guo)技術的(de)(de)外國(guo)生(sheng)產(chan)HBM，根據“先進計算(suan)直接產(chan)品(pin)規(gui)則”（Advanced Computing FDP），這(zhe)些產(chan)品(pin)也(ye)需遵(zun)守規(gui)定(ding)。

HBM相關廠商申請許可(ke)證的要(yao)求也更加嚴格，如果HBM被(bei)用于先(xian)進計算(suan)、AI模型訓練或(huo)推理，則(ze)(ze)需要(yao)出口許可(ke)證。若(ruo)相關設備或(huo)技術的最終用戶涉及國(guo)家安全風險或(huo)敏感實體清(qing)單上的機構，則(ze)(ze)默(mo)認拒絕許可(ke)（“推定拒絕”政策）。

而新增的“HBM許可(ke)證例外”條款(kuan)允許部分(fen)符合(he)條件的HBM出口，但需(xu)滿足以(yi)下條件，包括非敏(min)感用(yong)(yong)途和嚴格監管。比(bi)如明(ming)確HBM不會(hui)被用(yong)(yong)于支持(chi)AI超級(ji)計(ji)算(suan)等用(yong)(yong)途、比(bi)如出口需(xu)附帶預先通知、最終用(yong)(yong)戶聲明(ming)以(yi)及后續的使用(yong)(yong)監控報(bao)告(gao)。

技術標(biao)準方面，為(wei)進(jin)一(yi)步(bu)細(xi)化控制范圍，BIS更新了對(dui)先(xian)進(jin)節點(dian)DRAM的(de)定(ding)義，取消了原(yuan)有的(de)18納米半間(jian)距（half pitch）或更小的(de)生產技術節點(dian)標(biao)準，替換(huan)為(wei)以下兩種新的(de)判定(ding)標(biao)準之一(yi)。

一方面(mian)是高存(cun)儲(chu)密度標(biao)準，內存(cun)密度超過0.288 Gb/mm2的DRAM；另一方面(mian)是存(cun)儲(chu)單元面(mian)積(ji)標(biao)準，單元面(mian)積(ji)小于0.0019 μm2（平方微米）。

通過明確(que)存儲(chu)單元(yuan)面積、存儲(chu)密度及(ji)HBM的三維(wei)堆疊技術等標準(zhun)，BIS對(dui)(dui)HBM嚴防死守，對(dui)(dui)存儲(chu)芯片的控(kong)制更(geng)加精細化。當前最(zui)先(xian)進(jin)的AI服務器都搭載HBM，對(dui)(dui)于英偉達而言，目前對(dui)(dui)于國內供應的H20或許也會受(shou)到(dao)影響。

國(guo)內(nei)的存儲(chu)芯片廠(chang)商(shang)(shang)也(ye)在(zai)(zai)加速(su)研(yan)發追趕中，比如長(chang)鑫存儲(chu)是國(guo)內(nei)DRAM龍頭，已(yi)經(jing)推出多款產(chan)品(pin)，也(ye)在(zai)(zai)擴大產(chan)能當中，長(chang)江存儲(chu)專注于NAND產(chan)品(pin)。GPU和AI廠(chang)商(shang)(shang)也(ye)在(zai)(zai)發力，巨頭中華為、阿里、百度、騰訊都已(yi)經(jing)有(you)自研(yan)AI芯片，純芯片廠(chang)商(shang)(shang)中，既有(you)上市的寒武紀、景嘉微(wei)、海光信息，也(ye)有(you)芯動科技、燧原、瀚(han)博、沐曦、壁(bi)仞(ren)、摩爾線程、天(tian)數智芯、地平線等(deng)老牌(pai)和新創企業。其中，壁(bi)仞(ren)、摩爾線、燧原陸續開啟IPO。

整體而言，花旗分析師Kevin Chen表示，這些措施的(de)(de)范圍，“在短期內緩(huan)解了投資者對不(bu)斷升級的(de)(de)出口管制的(de)(de)擔憂(you)。不(bu)過，明年特朗(lang)普(pu)政府(fu)可能會(hui)采取進一步的(de)(de)限(xian)制措施。”

中(zhong)(zhong)(zhong)信(xin)證(zheng)券在(zai)近期研報中(zhong)(zhong)(zhong)表示，預計特朗(lang)普任內對華半(ban)(ban)導體(ti)制(zhi)(zhi)裁(cai)范圍或進一(yi)步(bu)擴散(san)，以(yi)對抗中(zhong)(zhong)(zhong)國(guo)科(ke)(ke)技進步(bu)，同時相(xiang)關(guan)(guan)(guan)限(xian)(xian)制(zhi)(zhi)措(cuo)施(shi)也將成(cheng)為后續談判籌碼。這些(xie)限(xian)(xian)制(zhi)(zhi)措(cuo)施(shi)可能包括：進一(yi)步(bu)將中(zhong)(zhong)(zhong)國(guo)半(ban)(ban)導體(ti)和AI行業的(de)重點企業列入(ru)實(shi)體(ti)清(qing)單進行制(zhi)(zhi)裁(cai)；擴大限(xian)(xian)制(zhi)(zhi)向(xiang)中(zhong)(zhong)(zhong)國(guo)出口的(de)關(guan)(guan)(guan)鍵科(ke)(ke)技產品的(de)清(qing)單范圍（如(ru)半(ban)(ban)導體(ti)設備零部件、半(ban)(ban)導體(ti)材料、先進封裝相(xiang)關(guan)(guan)(guan)，乃至成(cheng)熟制(zhi)(zhi)程等(deng)）；進一(yi)步(bu)限(xian)(xian)制(zhi)(zhi)美國(guo)資本流(liu)入(ru)中(zhong)(zhong)(zhong)國(guo)半(ban)(ban)導體(ti)產業等(deng)。

不論如何(he)，全球圍繞著AI競(jing)賽、半導體高地的科技(ji)競(jing)賽還將繼續。